晶盛机电（300316）9月28日在杭州举行投资者调研活动，披露其子公司浙江晶瑞SuperSiC首条12英寸碳化硅（SiC）衬底加工中试线已于本月26日正式贯通，标志着公司在大尺寸SiC衬底领域实现从晶体生长、加工到检测的全流程设备国产化，技术路线由“并跑”迈入“领跑”阶段。
公司表示，该中试线涵盖晶体切割、减薄、倒角、研磨、抛光、清洗、检测等完整工序，所使用的核心设备如高精减薄机、双面研磨机等均为公司自主研发，性能指标达到行业领先水平。12英寸SiC产品较8英寸产品单片晶圆芯片产出量提升约2.5倍，有望显著降低下游制造成本，是推动第三代半导体规模化应用的关键环节。
在产能规划方面，公司正加速布局多地产业化项目。其中，上虞规划年产30万片12英寸碳化硅衬底产线；银川布局年产60万片8英寸衬底晶体项目；同时在马来西亚槟城投资建设8英寸碳化硅衬底产业化基地，增强全球供应能力，支持海外市场拓展。
对于下游应用，晶盛指出，碳化硅材料具备高压、高频、高效等优异性能，已在新能源汽车、智能电网、5G通信等领域广泛使用，并正加速向AR设备、先进封装中间基板等新兴方向拓展。公司亦在金刚石、蓝宝石等半导体衬底材料领域实现布局，蓝宝石产品已实现4-6英寸量产并向8-12英寸拓展，主要用于GaN器件。金刚石材料则处于“技术突破-场景验证-量产爬坡”阶段，面向未来6G通信、量子计算等前沿应用。
除材料业务外，公司在半导体设备板块也已形成较为完整的产品体系。晶盛机电已实现8-12英寸大硅片制造设备的国产化，产品包括晶体生长、加工、外延与清洗设备，客户涵盖中环领先、上海新昇、金瑞泓等头部厂商。同时，公司在芯片制造端提供ALD、减压外延等薄膜沉积设备，在先进封装环节提供减薄抛光一体机、紫外激光开槽设备等差异化产品。
公司表示，随着第三代半导体技术逐步商业化落地，晶盛机电将在装备+材料双轮驱动战略下，持续扩大领先优势，夯实在SiC全产业链中的核心地位，并助力我国半导体产业链自主可控进程。